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NCE4060K,NCE4060參數代換,KND3504A場效應管-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-03-14 

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NCE4060K,NCE4060參數代換,KND3504A場效應管-KIA MOS管


NCE4060參數引腳圖

漏源電壓(Vdss):40V

連續漏極電流(Id)(25°C ):60A(Tc)

柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA

漏源導通電阻:13mΩ @ 20A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C):65W(Tc)

NCE4060參數代換,KND3504A

NCE4060參數代換,KND3504A介紹

KND3504A場效應管,采用了溝槽功率低壓MOSFET技術,漏極電流70A,漏源擊穿電壓40V,具有低導通電阻,典型值為7.0mΩ;出色的散熱封裝和低RDS(ON)的高密度電池設計,使其在各種應用中表現突出;能夠替代新潔能品牌NCE4060K型號進行使用,封裝形式:TO-252。

NCE4060參數代換,KND3504A

NCE4060參數代換,KND3504A參數

漏源電壓:40V

漏極電流:70A

漏源通態電阻(RDS(on)):7.0mΩ

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:270A

雪崩能量單脈沖:110MJ

最大功耗:48W

輸入電容:1760PF

輸出電容:220PF

總柵極電荷:46.5nC

開通延遲時間:5nS

關斷延遲時間:50nS

上升時間:22ns

下降時間:32ns


NCE4060參數代換,KND3504A規格書

NCE4060參數代換,KND3504A

NCE4060參數代換,KND3504A

KND3504A場效應管廣泛應用于各種領域,無論是負載切換、硬開關還是高頻電路,它都能勝任。這款場效應管尤其適用于不間斷電源等領域,在保證穩定供電的同時,有效降低了功率損耗,提高了整體效率。先進的散熱封裝技術,能夠有效散熱,確保器件在長時間高負載運行時不易受損,極大地提升系統的性能和穩定性,為用戶帶來更加可靠的電力保障。


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