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12n65場效應管參數代換,12n65場效應管引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-03-15 

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12n65場效應管參數代換,12n65場效應管引腳圖-KIA MOS管


12n65場效應管參數引腳圖

KIA12N65H N溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計,如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。KIA12N65H場效應管漏極電流12A,漏源擊穿電壓650V,RDS(on)為0.63?,在VGS為10V時表現出色、低柵極電荷,典型值為52nC,使得它在高頻率下仍能表現穩定、快速切換能力在電路中能夠迅速響應信號變化,確保信號傳輸的準確性、雪崩能量規定和改進的dv/dt能力增強了穩定性及安全性,保障電路運行的穩定性。


KIA12N65H封裝形式:TO-220F,適用于開關電源和LED驅動等場景,使其在各種應用中都能夠發揮出色的效果。KIA12N65H場效應管不僅在性能上有著出色的表現,同時在穩定性和安全性方面也具備了極高的標準,能夠滿足各種復雜電路的需求。

12n65場效應管參數代換

12n65場效應管參數詳情

漏源電壓:650V

柵源電壓:±30V

漏電流連續:12.0*A

脈沖漏極電流:48.0*A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:54W

熱電阻:62.5℃/W

漏源擊穿電壓:650V

溫度系數:0.7V/℃

柵極閾值電壓:2.0V

輸入電容:1850 PF

輸出電容:180 PF

上升時間:90 ns


12n65場效應管參數規格書



12n65場效應管參數代換

12n65場效應管參數代換


聯系方式:鄒先生

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QQ:2880195519

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